中國上海 - 2024 年 8月 28 日 - 安森美（納斯達克股票代號：ON ）推出采用 F5BP 封裝的最新一代硅和碳化硅混合功率集成模塊 (PIM)，非常適合用于提高大型太陽能組串式逆變器或儲能系統(tǒng) (ESS)的功率。與前幾代產品相比，這些模塊在相同尺寸下提供了更高的功率密度和效率，將太陽能逆變器的總系統(tǒng)功率從 300 kW提高到 350 kW。這意味著，使用最新一代模塊的裝機容量為一千兆瓦的大型太陽能發(fā)電場，每小時可實現(xiàn)近兩兆瓦的節(jié)能效果，相當于每年為超過 700 戶家庭供電。此外，要達到與上一代產品相同的功率，所需的模塊數量更少，可將功率器件的元器件成本降低 25% 以上。

由于太陽能發(fā)電的平準化能源成本（LCOE）最低，太陽能正日益成為全球可再生能源發(fā)電的首選。為了彌補太陽能發(fā)電的不穩(wěn)定性，公用事業(yè)運營商也在增設大型電池儲能系統(tǒng)（BESS），以確保電網的穩(wěn)定供能。為了支持這種系統(tǒng)組合，制造商和公用事業(yè)公司需要能夠提供最高效率和可靠電力轉換的解決方案。每提高 0.1% 的效率，對于每千兆瓦裝機容量，每年可節(jié)省 25 萬美元的運營成本。

“作為一種依賴陽光的波動性能源，我們需要不斷提高系統(tǒng)效率和可靠性，并采用先進儲能解決方案，以確保全球電網在電力需求高峰期和非高峰期的穩(wěn)定性和可靠性。”安森美電源方案事業(yè)群工業(yè)電源部副總裁 Sravan Vanaparthy 表示，“更高效的基礎設施會促進采用，并確保隨著更多太陽能發(fā)電設施的建成，減少能源浪費，推動我們在擺脫化石燃料的道路上不斷前進。”

F5BP-PIM集成了1050V FS7 IGBT和1200V D3 EliteSiC二極管，實現(xiàn)高電壓和大電流轉換的同時降低功耗并提高可靠性。FS7 IGBT 關斷損耗低，可將開關損耗降低達 8%，而EliteSiC二極管則提供了卓越的開關性能，與前幾代產品相比，導通壓降（VF）降低了15%。

這些PIM包含了一種創(chuàng)新的I型中點箝位（INPC）拓撲結構的逆變器模塊和飛跨電容拓撲結構的升壓模塊。這些模塊還使用了優(yōu)化的電氣布局和先進的直接銅鍵合（DBC）基板，以降低雜散電感和熱阻。此外，銅基板進一步將結到散熱片的熱阻降低了9.3%，確保模塊在重載下保持冷卻。這種熱管理對于保持模塊的效率和使用壽命至關重要，使其在需要可靠和持續(xù)供電的苛刻應用中非常有效。