思銳智能攜業(yè)界尖端的離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術(shù)亮相SEMICON China 2024，持續(xù)建設(shè)全球一流的高端半導體制造裝備，廣泛賦能集成電路、第三代半導體等諸多高精尖領(lǐng)域。

展會現(xiàn)場精彩瞬間

思銳智能離子注入機（IMP）模型

根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，受芯片需求疲軟等影響，2023年全球半導體設(shè)備銷售額為1056億美元，同比下降1.9%，而中國大陸地區(qū)半導體設(shè)備銷售額同比增長28.3%。中國對成熟節(jié)點技術(shù)表現(xiàn)出了強勁的需求和消費能力。

縱觀全局，離子注入已成為半導體器件制備中最主要的摻雜方法，是最基礎(chǔ)的制備工藝之一。2000-2023年中國大陸IC晶圓制造產(chǎn)能從占據(jù)全球2%增長到20%，未來中國產(chǎn)能持續(xù)迎接快速增長期，年均增長預計超10%。新一代集成電路制造技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)推進，國產(chǎn)化離子注入機的市場應用前景正在快速展開，這也是思銳智能重點投資布局的賽道。

集成電路制造正盛，IMP國產(chǎn)化大有可為

在同期的IC制造產(chǎn)業(yè)鏈國際論壇上，思銳智能副總經(jīng)理陳祥龍表示：“離子注入設(shè)備正在賦能新一代邏輯，存儲，圖像傳感器，功率半導體等熱門應用領(lǐng)域均可利用離子注入機以提升器件性能或產(chǎn)能。新興應用推動了離子注入技術(shù)創(chuàng)新，以消費市場為例，智能手機對于相機像素的要求越來越高，圖像傳感器（CIS）需要制備更高深寬比的深層光電二極管。此時，離子注入的能量將達到8MeV、最高甚至超過10MeV，高能離子注入機成為不可替代的選擇。同時，先進制程的發(fā)展也進一步推動了低能大束流機的應用。思銳智能布局了“高能離子注入機 + 大束流離子注入機”的系列產(chǎn)品組合，以應對更多應用挑戰(zhàn)。”

自2021年以來，思銳智能組建核心技術(shù)團隊，開啟離子注入設(shè)備研發(fā)攻關(guān)，2023年首臺高能離子注入機取得技術(shù)突破并獲得國內(nèi)頭部客戶訂單，同步持續(xù)完善業(yè)務布局。思銳智能高能離子注入機具備射頻傳輸效率高、能量分辨率高的優(yōu)勢，其關(guān)鍵特性包括射頻段傳輸效率達到30%-50%的水平；能量分辨率高達±1%，小于業(yè)內(nèi)的±2.5%水平等，在關(guān)鍵設(shè)備國產(chǎn)化方面實現(xiàn)了技術(shù)領(lǐng)先。

進入2024年，AI及其驅(qū)動的新智能應用、AI PC和AI手機、新能源汽車及工業(yè)應用等產(chǎn)業(yè)面臨新的機遇和挑戰(zhàn)。集成電路是AI技術(shù)發(fā)展的核心，而裝備則是集成電路芯片技術(shù)創(chuàng)新的基石。思銳智能愿與合作伙伴攜手，賦能半導體產(chǎn)業(yè)鏈高質(zhì)量發(fā)展，推動行業(yè)技術(shù)的創(chuàng)新與進步。