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Vishay推出采用源極倒裝技術PowerPAK® 1212-F封裝的TrenchFET® 第五代功率MOSFET

器件采用中央柵極結構3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212 F封裝,提高系統(tǒng)功率密度,改進熱性能

http://m.casecurityhq.com 2024-02-20 11:44 來源:Vishay

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出多功能新型30V n溝道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度,增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封裝,10V柵極電壓條件下導通電阻僅為0.71 m,導通電阻與柵極電荷乘積,即開關應用中MOSFET關鍵的優(yōu)值系數(FOM)為42 m*nC,達到業(yè)內先進水平。

日前發(fā)布的器件占位面積與PowerPAK 1212-8S封裝相同,導通電阻降低18%,提高了功率密度,同時源極倒裝技術將熱阻從63C/W降至56C/W。此外,SiSD5300DN優(yōu)值系數比上代器件低35%,從而降低了導通和開關損耗,節(jié)省功率轉換應用的能源。

PowerPAK1212-F源極倒裝技術顛倒通常接地焊盤和源極焊盤的位置,擴大接地焊盤面積,提供更有效的散熱路徑,有助于降低工作溫度。同時,PowerPAK 1212-F減小了開關區(qū)范圍,有助于降低跡線噪聲的影響。另外,PowerPAK 1212-F封裝源極焊盤尺寸增加了10倍,從0.36mm2提高到4.13 mm2,從而改進熱性能。PowerPAK1212-F中央柵極結構還簡化了單層PCB基板多器件并聯(lián)的使用。

采用源極倒裝PowerPAK1212-F封裝的SiSD5300DN特別適合二次整流、有源箝位電池管理系統(tǒng)(BMS)、降壓和BLDC轉換器、OR-ing FET、電機驅動器和負載開關等應用。典型終端產品包括焊接設備和電動工具、服務器、邊緣設備、超級計算機、平板電腦、割草機和掃地機以及無線電基站。

器件經過100% RG和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。

主要技術規(guī)格表:

SiSD5300DN現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為26周。

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